Избранное
ЭБ Нефть
и Газ
Главная
Оглавление
Поиск +
Еще книги ...
Энциклопедия
Помощь
Для просмотра
необходимо:


Книга: Главная » Касаткин А.Г. Основные процессы и аппараты химической технологии Часть 2 Издание 2
 
djvu / html
 

Когда же самопроизвольное появление кристаллов дает более обильное количество ядер - центров в единице объема раствора то получаются мелкокристаллические осадки, микроскопические кристаллы с слаборазвитыми гранями. В этом случае преимущественно получаются кристаллы пластинчатой или игольчатой формы.
Кроме того, если большое число ядер возникает в сильно разведенных растворах, как это имеет место при выпадении сульфата бария, окиси алюминия, хлористого серебра, то твердая фаза получается столь тонко раздробленной, что ее трудно отличить от коллоидальных осадков.
Целый ряд растворов, как, например, глауберовой соли, могут быть сильно пересыщены без выделения кристаллов. Выяснено,, что для возбуждения процесса кристаллизации таких пересыщенных растворов необходимо ввести в раствор извне хотя бы один мелкий кристалл этой соли или какого-либо изоморфного ей вещества с той же кристаллической структурой.
Вообще процесс кристаллизации протекает значительно легче вокруг уже имеющихся в растворе кристаллов или даже мельчайших кристаллических обломков того же вещества. Отсюда весьма часто при проведении процесса кристаллизации предварительно вводят в раствор то или иное количество кристаллов выделяемого вещества или, как это называют в производстве, дают «затравку».
Скорость кристаллизации. Развитие микроскопических ядер в видимые кристаллы начинается с того момента, когда возникли кристаллические центры - ядра, причем это развитие требует постоянного притока твердого вещества к поверхности граней кристалла.
В растворе, находящемся в состоянии покоя, по мере роста кристалла зона жидкости, находящейся в непосредственном соседстве с гранями кристалла, перестает быть пересыщенной, и если в эту зону не будет доставлен вновь материал для пересыщения раствора из других соседних областей, то рост кристалла прекратится.
Такая доставка потребного для роста кристалла вещества в неподвижной среде осуществляется за счет возникающих в растворе одновременно с ростом кристалла диффузионных, конвекционных и концентрационных токов.
Диффузионные токи обусловливаются наличием процесса диффузии, т. е. процесса выравнивания концентраций (парциальных давлений) раствора по всей его массе, протекающего во времени. Причиной диффузии является наличие градиента концентраций, аналогично тому, как причиной теплопередачи является температурный градиент. Градиентом концентраций называют изменение концентрации раствора на единице расстояния и обозначают через -.
По закону Фика масса вещества, диффундирующая за определенный промежуток времени через заданную поверхность в направлении, нормальном к этой поверхности, прямо пропор-
370

 

1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350 360 370 371 372 373 374 375 376 377 378 379 380 390 400 410 420 430 440 450 460 470 480 490 500 510 520 530 540 550 560 570 580 590 600 610 620 630 640 650 660 670 680


Процессы и аппараты химической технологии